当前位置:首页 > 科研成果库

Chiplet互连:先进制程撞墙之后的破局关键

2026-10-01 21:48:07小研科研成果库6
摩尔定律喊“不行了”已经喊了快二十年。真凉了吗?还真没有,全靠Chiplet(小芯片)这一架构续命。而很多人不知道,Chiplet能走通,核心从来不是小芯片本身,是Chiplet互连的性能。

拼封装本质就是拼互连,这话真不是忽悠人

原来做一块SoC,所有功能模块都做在同一块晶圆上,走线都是片上互连,间距只有几纳米到几十纳米,延迟低、带宽大,爽得很。现在芯片越做越大,晶圆上只要有一个坏点,整块芯片就废了,良率低到成本炸上天。所以大家想到了拆分,把大芯片切成多个小Chiplet,分开制造,好的挑出来拼一起,良率一下就上去了,成本直接砍半都不夸张。 可拆分之后,原来的片上互连变成了片与片之间的互连,问题就来了。 单片SoC与Chiplet互连结构对比图单片SoC与Chiplet互连结构对比图 不同需求对互连的要求天差地别。只是把电源管理芯和算力芯拼在一起,用普通有机基板的凸块互连,间距几十微米,凑活能用。但你要是拼多个高性能计算芯,要的是每秒几T甚至几十T的互通带宽,普通互连根本喂不饱。 现在主流的高性能Chiplet方案,不管是AMD的MI300,还是苹果的M Ultra,核心都是把互连间距压到了1-10微米级别,带宽比传统封装互连翻了几十上百倍。说白了,互连的密度提不上来,你拆再多小芯片,拼出来的东西整体性能还不如一块没拆的大芯片,折腾半天图啥?

当下主流的Chiplet互连路线,各有各的活法

现在行业里主要卷三条线:传统基于封装基板的电互连、先进堆叠的高密度电互连,还有呼声很高的光互连。 最成熟、用得最多的还是高密度电互连,毕竟产业链配套全,成本也可控。现在最火的就是混合键合互连,能做到亚微米级的互连间距,垂直互连密度直接把TSV(硅穿孔)技术甩了一条街。苹果最新的A17 Pro,那个3D堆叠的缓存,用的就是混合键合,读写延迟直接降了一大截,性能提升肉眼可见。 Chiplet混合键合互连横截面电镜图Chiplet混合键合互连横截面电镜图 光互连吹了快二十年了,到现在还是没大规模商用。说实话,不是技术不行,是成本和尺寸卡得死死的。你要把光调制器、波导这些器件做到Chiplet级,良率低到离谱,一块封装的成本比芯片本身还贵,除了少数特殊场景,谁用得起? 不过话说回来,当未来Chiplet互连的带宽需求突破每毫米10Tbps,电互连的串扰和功耗就顶不住了,光互连肯定是终极方向,现在大厂砸钱布局,也不是瞎投。国内现在很多初创公司不走高端,先从数据中心的中长距互连做起,慢慢降成本,这条路倒是走得挺稳。 还有人在搞新型互连材料,比如用低温烧结的纳米银导电材料,取代传统的锡铅凸块,不仅互连电阻更低,散热还好,成本还能压下去,听起来就很有前景对吧?

国内Chiplet互连的进度,比你想的快,但差距也真的存在

国内Chiplet互连的进度,比你想的快,但差距也真的存在国内Chiplet互连的进度,比你想的快,但差距也真的存在 这两年Chiplet被说成是国内半导体换道超车的机会,这话没毛病,但很多人只说对了一半:换道的核心不是做小芯片,是突破互连的卡脖子。 去年国内半导体行业协会推出了统一的Chiplet互连标准,解决了不同厂商芯片互连互通的协议问题,原来大家各搞各的接口,拼一块连不通,现在有了统一标准,进度快了不止一点。长电、通富这些国内头部封测厂,现在已经能量产2.5D Chiplet互连产品,性能跟海外一线厂商的差距已经很小,不少国内芯片设计公司已经在用了,成本还比进口方案低不少。 但是高端的混合键合互连,不管是设备还是核心材料,现在还是依赖进口,这个差距真的没法瞒。上个月跟一个做封测的老友聊天,他说现在最头疼的就是混合键合的键合设备,一台进口的要几个亿,交货还要等一年多,有钱都不一定拿得到。 不过好在最近两年国内设备厂商也在追,已经有原型机出来了,虽然性能还有差距,但至少已经解决了有无问题。现在一级市场投Chiplet,十个项目八个是做互连材料或者设备的,资本都门清,这才是真的刚需,真的缺口。你只要能做出性能达标、成本够低的互连材料,不愁没有订单。 半导体做了这么多年,所有人都盯着怎么把晶体管做小,却忘了,把不同的模块连起来,才是系统性能的核心。未来十年,Chiplet互连的突破,会直接决定全球半导体产业的格局。